Használta valaha az ultrahangos permetezést a fotoreziszt iparban?
Mar 12, 2026
Az ultrahangos porlasztásos permetezés fő alkalmazása a fotoreziszt iparban a fotoreziszt bevonása nagy pontossággal, nagy egyenletességgel és nagy lépésekkel. Különösen jól megoldja a hagyományos spinbevonattal nehezen kezelhető 3D mikrostruktúrák, nagy oldalarányok és nagy/szabálytalan szubsztrátumok bevonási problémáit, miközben jelentősen javítja az anyagfelhasználást és a hozamot.
1. Félvezető szelet bevonat (általános alkalmazások)
Planar Wafer Coating: Used for 12-inch and larger wafers, achieving ultra-thin, uniform photoresist layers (thickness 50–500 nm), with thickness error controllable within ±0.3–0.4 μm and uniformity >95%, jelentősen javítva az expozíciós pontosságot és a chiphozamot.
Komplex szerkezetű ostyabevonat: Mély árkok, TSV-k és nagy képarányú szerkezetek megcélzása, a spin{0}}bevonatproblémák megoldása, mint például az élek felhalmozódása, az alsó rész hiányzó ellenállása és az árnyékolási effektusok, egyenletes fedés elérése az oldalfalakon és az alján, biztosítva a maratási/ionbeültetési pontosságot.
2. MEMS és Microstructure Device Coating
3D komplex morfológiai felületek bevonása, mint például MEMS chipek, mikrofluidikus chipek, érzékelők és mikrotükrök, kiváló lépésfedést biztosítva, megszüntetve az elhalt sarkokat és buborékokat, valamint javítva az eszköz megbízhatóságát.
Speciális szubsztrátumok és rugalmas elektronikus bevonat
Nem -szilícium szubsztrátumok, például üveg, kerámia, fémek és rugalmas hordozók (pl. PI, PET) bevonása, amely alkalmas szabálytalan alakú/nagy-méretű/törékeny alkatrészekhez, elkerülve a centrifugálás során a nagy sebességű centrifugálás okozta töredezési kockázatot.
Fotoreziszt/funkcionális rétegek bevonása rugalmas/hajlított hordozókon, például rugalmas OLED-eken és perovskit napelemeken.
K+F és kis{0}}részes prototípuskészítés
Laboratóriumi kutatás-fejlesztés, új anyagellenőrzés és kis{0}}részes prototípusgyártás: gyors váltás, precíz fóliavastagság-szabályozás és alacsony anyagfelhasználás, alkalmas fotoreziszt-készítmények fejlesztésére és folyamatiterációra.
Hibrid eljárás (centrifugálás + ultrahangos permetezés)
Először is, az ultrahangos permetezés egységes alapfilmet hoz létre, majd a nagy sebességű{0}}centrifugálás egyenletessé teszi a ragasztót, kiegyenlíti az egyenletességet, a lépésfedést és a gyártási hatékonyságot, amely alkalmas a fejlett folyamatokhoz.
Tipikus folyamatparaméterek (referencia)
● Porlasztási frekvencia: 20–120 kHz (100 kHz általánosan használt)
● Porlasztásos részecskeméret: 0,5–50 μm (szubmikron szint)
● Filmvastagsági tartomány: 50 nm–5 μm (precíziós bevonatokhoz általában 50–500 nm-t használnak)
● Vastagság egyenletessége: ±0,3–0,5 μm (12 hüvelykes ostya)
●Material Utilization: >90%
